为获得纳秒级的窄脉宽输出，一般会采用调Q技术。由此得到兆瓦级的峰值功率，适用于利用高峰值功率爆破靶组织的应用。常用的调Q技术有两种：被动调Q和电光调Q。二者之间有什么区别呢？
被动调Q采用一种叫做四价铬的可饱和吸收染料晶体，这种可饱和吸收染料是一种非线性吸收物质，把它放在谐振腔内，利用它对光的可饱和吸收特性来改变谐振腔内的吸收损耗，起到Q开关的作用。所谓可饱和吸收特性，就是染料吸收率随光强的变化而变化，初始的吸收率很大，随光强增大，吸收率减少，直至染料饱和。由于这种特性与染料的自身特点决定，无法准确控制，因此，采用被动调Q的开关，可重复的精度比较差，脉宽也较宽，能量抖动相对较大。
电光调Q则是利用KD*P晶体的电光效应，在晶体上加一阶跃式电压，调节腔内光子的反射损耗。通过在晶体上加入特定的高电压，利用晶体对偏振光产生的双折射效应，入射光无法在谐振腔形成振荡，称为关门状态；在谐振腔内的反转粒子数达到最大值时，突然退去晶体上的高压，形成激光输出。采用现代电子电路，高压的控制非常精准可控，因此，采用电光调Q可重复的精度比较高，能量抖动小，脉宽也更窄。
被动调Q具有体积小，成本低，简单易用的特点，在低成本或紧凑型固体激光应用领域获得了广泛的应用。
电光调Q具有精度高，能量抖动小，脉宽窄的特点，在需要获得准确可控的高质量巨脉冲激光领域获得了广泛的应用。